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Produktbild: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design Theory and Design

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

19.08.2003

Verlag

John Wiley & Sons

Seitenzahl

300

Maße (L/B/H)

24/16,1/3,9 cm

Gewicht

1129 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-471-23845-4

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Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

19.08.2003

Verlag

John Wiley & Sons

Seitenzahl

300

Maße (L/B/H)

24/16,1/3,9 cm

Gewicht

1129 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-471-23845-4

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

Email: gpsr@libri.de

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  • Produktbild: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
  • Preface.
     
    Power Device Evolution and the Advert of IGBT.
     
    IGBT Fundamentals and Status Review.
     
    MOS Components of IGBT.
     
    Bipolar Components of IGBT.
     
    Physics and Modeling of IGBT.
     
    Latch-Up of Parasitic Thyristor in IGBT.
     
    Design Considerations of IGBT Unit Cell.
     
    IGBT Process Design and Fabrication Technology.
     
    Power IGBT Modules.
     
    Novel IGBT Design Concepts, Structural Innovations, and Emerging Technologies.
     
    IGBT Circuit Applications.
     
    Index.