-14%
89,95
Bisher 103,99**
89,95
Alle Preise in Euro, inkl. MwSt.
**Preis der gedruckten Ausgabe (Gebundenes Buch)
Sofort per Download lieferbar
Bisher 103,99**
89,95
Alle Preise in Euro, inkl. MwSt.
**Preis der gedruckten Ausgabe (Gebundenes Buch)
Sofort per Download lieferbar

Alle Infos zum eBook verschenken
Als Download kaufen
Bisher 103,99**
-14%
89,95
Preis in Euro, inkl. MwSt.
**Preis der gedruckten Ausgabe (Gebundenes Buch)
Sofort per Download lieferbar
Abo Download
9,90 / Monat*
*Abopreis beinhaltet vier eBooks, die aus der tolino select Titelauswahl im Abo geladen werden können.

Preis in Euro, inkl. MwSt.
Sofort per Download lieferbar

Einmalig pro Kunde einen Monat kostenlos testen (danach 9,90 pro Monat), jeden Monat 4 aus 40 Titeln wählen, monatlich kündbar.

Mehr zum tolino select eBook-Abo
Jetzt verschenken
Bisher 103,99**
-14%
89,95
Preis in Euro, inkl. MwSt.
**Preis der gedruckten Ausgabe (Gebundenes Buch)
Sofort per Download lieferbar

Alle Infos zum eBook verschenken
45 °P sammeln

  • Format: PDF


Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of thefundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors.The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.…mehr

Produktbeschreibung
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of thefundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors.The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.


Dieser Download kann aus rechtlichen Gründen nur mit Rechnungsadresse in A, B, BG, CY, CZ, D, DK, EW, E, FIN, F, GB, GR, HR, H, IRL, I, LT, L, LR, M, NL, PL, P, R, S, SLO, SK ausgeliefert werden.

  • Produktdetails
  • Verlag: Springer New York
  • Erscheinungstermin: 23.04.2013
  • Englisch
  • ISBN-13: 9781461468226
  • Artikelnr.: 38440158
Inhaltsangabe
Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.