Andere Kunden interessierten sich auch für
![Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si]( "Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si")
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si32,99 €![MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren]( "MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren")
MeV-elektronenbestraling van Si heterostructuren32,99 €![Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si]( "Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si")
Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si32,99 €![Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si]( "Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si")
Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si32,99 €![Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas]( "Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas")
Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas32,99 €![MeV electron irradiation of Si heterostructures]( "MeV electron irradiation of Si heterostructures")
MeV electron irradiation of Si heterostructures44,99 €![MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si]( "MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si")
MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si23,99 €
Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologieänderungen des SiO2-Oxids während der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen während der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgeführt.