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Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
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