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Two-step MOVPE, in-situ etching and buried implantation: applications to the realization of GaAs laser diodes (eBook, PDF)

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This work is about two-step epitaxial growth using metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) for the realization of edge-emitting near-infrared laser diodes. The fabricated gallium arsenide-based devices fall into two categories: high-power lasers (watt range, multimodal) and tunable lasers (milliwatt range, monomodal). Common to both cases is that surface contamination – particularly that due to oxygen – needs to be removed before regrowth. Thus, in-situ etching with carbon tetrabromide (CBr4) is first studied. The experimental results include kinetic data, the effects of d...

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