Gauraw Dhiman, Radzheew Pourush

Broschiertes Buch

Vwedenie w besperehodnyj dwuhzatwornyj MOP-tranzistor

Beschreibung

Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente koncentracii dopinga dlq besperebojnogo funkcionirowaniq ustrojstwa. V poslednee wremq issledowateli sosredotochilis' na nowyh ustrojstwah, w kotoryh ne trebuetsq gradient legirowaniq i net perehodow. Odnoj iz takih struktur qwlqetsq besperehodnyj MOP-tranzistor s dwojnym zatworom (MOP-tranzistor JL-DG), kotoryj prodemonstrirowal uluchshennye harakteristiki w bor'be s äffektom korotkogo kanala, a imenno s inducirowannym stokom ponizheniem bar'era (DIBL), izmeneniqmi porogowogo naprqzheniq i t.d.

Autor

Gauraw Dhiman poluchil stepen' doktora filosofii w oblasti komp'üternoj inzhenerii w Taparskom institute inzhenerii i tehnologii, Patiala. V nastoqschee wremq on rabotaet assistentom professora na kafedre komp'üternyh nauk w gosudarstwennom kommercheskom kolledzhe Bikram, Patiala. On opublikowal bolee 30 recenziruemyh nauchnyh rabot (indexiruemyh w SCI-SCIE).

Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 68
• Erscheinungstermin: 1. April 2022
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 5mm
• Gewicht: 119g
• ISBN-13: 9786204600031
• ISBN-10: 6204600036
• Artikelnr.: 63689023