Viagem em direção a Nanowires
Dispositivos e Circuitos Nanowire
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A indústria da microeletrônica avançou para o regime de nanoescala, que alcançou baixa potência e alta velocidade de comutação em circuitos eletrônicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de característica de sub-10nm e se movendo em direção a 5,6nm. A fim de sustentar a redução de escala, não só é essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas também pode ser necessário substituir o silício. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimen...
A indústria da microeletrônica avançou para o regime de nanoescala, que alcançou baixa potência e alta velocidade de comutação em circuitos eletrônicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de característica de sub-10nm e se movendo em direção a 5,6nm. A fim de sustentar a redução de escala, não só é essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas também pode ser necessário substituir o silício. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimento de porta. As estruturas de transístores Multi-Gate FETs e Nanowire são encontradas adequadas abaixo do nó de tecnologia de 14nm. No entanto, Nanowires Verticais desenvolvidos com materiais compostos III-V, materiais de óxido de porta de altä e portões metálicos de melhor desempenho são explorados.
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