Utilisation de l'hyperfréquence supérieure
Réduction du spectre optique par l'utilisation de transistors à vide dans les circuits amplificateurs
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Il existe de nombreuses bandes de fréquences larges et non attribuées dans les fréquences sub-terahertz (au-dessus de 100 GHz) qui sont intéressantes pour les applications à large bande. Le potentiel de cette bande de térahertz sans licence et inutilisée, située entre les micro-ondes et le spectre optique, comme l'énorme largeur de bande, la très petite taille, les débits de données très élevés pour les applications de communication sans fil de puce à puce et le moindre risque d'interférence externe, est un défi non seulement pour les applications spatiales, mais aussi pour l...
Il existe de nombreuses bandes de fréquences larges et non attribuées dans les fréquences sub-terahertz (au-dessus de 100 GHz) qui sont intéressantes pour les applications à large bande. Le potentiel de cette bande de térahertz sans licence et inutilisée, située entre les micro-ondes et le spectre optique, comme l'énorme largeur de bande, la très petite taille, les débits de données très élevés pour les applications de communication sans fil de puce à puce et le moindre risque d'interférence externe, est un défi non seulement pour les applications spatiales, mais aussi pour les applications de défense. La faiblesse des tubes à vide (encombrants et discrets) peut être surmontée si les tubes à vide sont fabriqués par des technologies de nanofabrication en silicium et si le mécanisme de fonctionnement passe de l'émission thermoionique à l'émission de champ. Ce travail de diplôme présente la conception, à l'aide d'outils logiciels appropriés, d'un transistor à canal sous vide de 150 nm. Ce transistor fonctionne à une fréquence supérieure au spectre des micro-ondes et inférieure au spectre optique, donc entre 100 GHz et 3 THz, en utilisant le processus traditionnel du silicium.
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