Untersuchungen des elektrischen Widerstands von Metallchalkogenid-Halbleitern

Untersuchungen des elektrischen Widerstands von Metallchalkogenid-Halbleitern

bei hohem Druck und niedriger Temperatur

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Halbleiter sind die unbestrittenen Säulen der modernen Technologie. In den letzten zehn Jahren haben sich halbleitende Metalldichalcogenid-Schichten als vielversprechende Materialien für eine breite Palette von Anwendungen in der Optoelektronik und Transistortechnologie herauskristallisiert. Aus diesem Grund ist die Kenntnis ihrer elektrischen Eigenschaften unter variablen Temperatur- oder Druckbedingungen für solche Anwendungen wichtig. Darüber hinaus ist die Erforschung von Materie unter extremen Bedingungen ein zentrales Thema in einem breiten Spektrum wissenschaftlicher Disziplinen (z....