Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC
Caractérisation d¿un MESFET-GaAs hyperfréquence pour un amplificateur linéaire à faible bruit (LNA) à 10GHz MMIC
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Depuis des années, le transistor à effet de champ (MESFET) fait avec l'Arséniure de Gallium (GaAs) se présente comme le composant le plus adapté à des applications d'hyperfréquences et de commutation, ce choix est justifié par de remarquables performances telles que : un faible facteur de bruit (< 1 dB en dessous de 8 Ghz), un gain en puissance élevé (10 dB en deçà de 12 Ghz) associé à des fréquences de transition élevées et une bonne isolation entrée-sortie. Ainsi l'utilisation de ce composant s'est généralisée en régime d'amplification petit signal et faible bruit, doma...
Depuis des années, le transistor à effet de champ (MESFET) fait avec l'Arséniure de Gallium (GaAs) se présente comme le composant le plus adapté à des applications d'hyperfréquences et de commutation, ce choix est justifié par de remarquables performances telles que : un faible facteur de bruit (< 1 dB en dessous de 8 Ghz), un gain en puissance élevé (10 dB en deçà de 12 Ghz) associé à des fréquences de transition élevées et une bonne isolation entrée-sortie. Ainsi l'utilisation de ce composant s'est généralisée en régime d'amplification petit signal et faible bruit, domaine dans lequel sa suprématie n'est plus contestée. Soulignons enfin, que la rapidité de ce composant et de ses dérivés (temps de commutation inférieur à 30 ps) en fait un candidat de choix pour une prochaine génération de "super-ordinateurs".Il n'aurait pas été possible de parvenir à de telles réalisations si on n'avait su s'appuyer sur une modélisation des phénomènes physiques qui régissent le fonctionnement du composant. Les modèles utilisés doivent rester proches de la réalité physique, tout en étant suffisamment simples pour être compatibles avec des impératifs de C.A.O.
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