
Tecnologias da informação através de transições de fase topotácticas
Aproveitamento de transições de fase topotácticas mediadas por redox em óxidos de metais de transição para dispositivos avançados de memória
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
39,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
20 °P sammeln!
Os dispositivos memrísticos redox, impulsionados pela migração de oxigénio, são promissores para o futuro armazenamento de dados. As estruturas de Brownmillerite, como SrCoO2.5 e SrFeO2.5, permitem transições de fase topotácticas reversíveis, optimizando a comutação redox e resistiva em dispositivos memrísticos. Os desafios das películas finas de SrCoO2.5 são abordados com SrFeO2.5 atomicamente plano, demonstrando um melhor desempenho. O crescimento epitaxial em SrTiO3 orientado para [111] melhora a migração controlada de iões de oxigénio, alcançando uma elevada resistência...
Os dispositivos memrísticos redox, impulsionados pela migração de oxigénio, são promissores para o futuro armazenamento de dados. As estruturas de Brownmillerite, como SrCoO2.5 e SrFeO2.5, permitem transições de fase topotácticas reversíveis, optimizando a comutação redox e resistiva em dispositivos memrísticos. Os desafios das películas finas de SrCoO2.5 são abordados com SrFeO2.5 atomicamente plano, demonstrando um melhor desempenho. O crescimento epitaxial em SrTiO3 orientado para [111] melhora a migração controlada de iões de oxigénio, alcançando uma elevada resistência e comutação rápida. A espetroscopia de absorção de raios X revela o papel da transição de fase baseada em redox, e os dispositivos orientados para (111) apresentam transições localizadas. Os dispositivos SrFeO2.5 (111) demonstram uma promissora funcionalidade de memória sináptica, contribuindo para um modelo de rede neural com uma precisão de ~90% na identificação de números escritos à mão.