Tecnologias da informação através de transições de fase topotácticas
Aproveitamento de transições de fase topotácticas mediadas por redox em óxidos de metais de transição para dispositivos avançados de memória
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Os dispositivos memrísticos redox, impulsionados pela migração de oxigénio, são promissores para o futuro armazenamento de dados. As estruturas de Brownmillerite, como SrCoO2.5 e SrFeO2.5, permitem transições de fase topotácticas reversíveis, optimizando a comutação redox e resistiva em dispositivos memrísticos. Os desafios das películas finas de SrCoO2.5 são abordados com SrFeO2.5 atomicamente plano, demonstrando um melhor desempenho. O crescimento epitaxial em SrTiO3 orientado para [111] melhora a migração controlada de iões de oxigénio, alcançando uma elevada resistência...
Os dispositivos memrísticos redox, impulsionados pela migração de oxigénio, são promissores para o futuro armazenamento de dados. As estruturas de Brownmillerite, como SrCoO2.5 e SrFeO2.5, permitem transições de fase topotácticas reversíveis, optimizando a comutação redox e resistiva em dispositivos memrísticos. Os desafios das películas finas de SrCoO2.5 são abordados com SrFeO2.5 atomicamente plano, demonstrando um melhor desempenho. O crescimento epitaxial em SrTiO3 orientado para [111] melhora a migração controlada de iões de oxigénio, alcançando uma elevada resistência e comutação rápida. A espetroscopia de absorção de raios X revela o papel da transição de fase baseada em redox, e os dispositivos orientados para (111) apresentam transições localizadas. Os dispositivos SrFeO2.5 (111) demonstram uma promissora funcionalidade de memória sináptica, contribuindo para um modelo de rede neural com uma precisão de ~90% na identificação de números escritos à mão.
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