Strutture di pozzi quantistici per applicazioni di rivelatori a infrarossi
Fotodiodi P-I-N a infrarossi basati su super griglie InAs/GaSb
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Il rilevamento di MWIR (radiazione infrarossa di media lunghezza d'onda) è l'importante per applicazioni industriali, biomediche e militari. Gli FPA IR ad alte prestazioni di terza generazione sono già una proposta interessante per il progettista di sistemi IR. Essi coprono come multicolore (almeno due, e forse più bande spettrali diverse) con la possibilità di rilevamento simultaneo sia nello spazio che nel tempo, e dimensioni sempre più grandi. Un allineamento di banda di tipo II tale che la banda di conduzione dello strato InAs è inferiore alla banda di valenza dello strato GaSb. Il b...
Il rilevamento di MWIR (radiazione infrarossa di media lunghezza d'onda) è l'importante per applicazioni industriali, biomediche e militari. Gli FPA IR ad alte prestazioni di terza generazione sono già una proposta interessante per il progettista di sistemi IR. Essi coprono come multicolore (almeno due, e forse più bande spettrali diverse) con la possibilità di rilevamento simultaneo sia nello spazio che nel tempo, e dimensioni sempre più grandi. Un allineamento di banda di tipo II tale che la banda di conduzione dello strato InAs è inferiore alla banda di valenza dello strato GaSb. Il bandgap effettivo di queste strutture può essere regolato da 0,4 eV a valori inferiori a 0,1 eV variando lo spessore degli strati costitutivi che portano ad un'enorme gamma di lunghezze d'onda di taglio del rivelatore (3- 20¿m). Questo libro è focalizzato sulle varie caratteristiche chiave l'ottica (responsività e detectivity) ed elettrica (dispersione superficiale e corrente di buio) del rivelatore a infrarossi e la prova del concetto è dimostrata sui fotodiodi a infrarossi P-I-N basati su fotodiodi InAs/GaSb superlattiche con lunghezza d'onda di taglio ~ 8,5 µm e energia di bandgap ~150 meV operanti a 78 K dove si osserva la soppressione delle correnti di dispersione superficiale.
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