Silício Poroso " Elaboração e Caracterização
Aplicações optoelectrónicas e fotovoltaicas.
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No nosso trabalho estávamos interessados em estudar o fenómeno de transformação de camadas de silício monocristalino em silício nanoestruturado. Várias amostras de silício poroso foram cultivadas por anodização electroquímica em substratos de Si tipo P (100) e Si tipo N (100), variando alguns parâmetros experimentais tais como intensidade de corrente e tempo de anodização e composição electrolítica. A fim de realizar o nosso trabalho, caracterizamos as propriedades das camadas por diferentes métodos de caracterização morfológica, estrutural e optoelectrónica: SEM, fotolum...
No nosso trabalho estávamos interessados em estudar o fenómeno de transformação de camadas de silício monocristalino em silício nanoestruturado. Várias amostras de silício poroso foram cultivadas por anodização electroquímica em substratos de Si tipo P (100) e Si tipo N (100), variando alguns parâmetros experimentais tais como intensidade de corrente e tempo de anodização e composição electrolítica. A fim de realizar o nosso trabalho, caracterizamos as propriedades das camadas por diferentes métodos de caracterização morfológica, estrutural e optoelectrónica: SEM, fotoluminescência (PL), infravermelho (FTIR), elipsometria ES e medições de reflectância. Os resultados das análises permitiram-nos realçar a influência dos parâmetros de anodização e em particular a intensidade actual e a duração da anodização. O cálculo da porosidade das camadas nanoestruturadas dá-nos uma variação destas últimas que vai de 45 a 80%. Através de uma escolha judiciosa dos parâmetros experimentais é possível controlar o tamanho das nanoestruturas e a porosidade das amostras elaboradas.
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