Selektive Laserstrukturierung von dielektrischen Schichten
Im Fokus steht der selektive Abtrag von Single- und Multilayern wie SiO2, Ti3O5, Si und BK7.
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In der Arbeit werden verschiedene theoretische Modelle vorgestellt, die erläutern welche Möglichkeiten es gibt, dass es zu einer Absorption in den transparenten Beschichtungsmaterialien kommt und welche Faktoren die Absorption beeinflussen. Hierbei wird vor allem auf die lineare und nichtlineare Absorption von Photonen eingegangen. Zudem wird analysiert welchen Stellenwert die Grösse der Bandlücke, im Bezug auf die Bearbeitung bei einer bestimmten Wellenlänge, einnimmt. Basierend auf den theoretischen Überlegungen, wurden experimentelle Versuche mit den beiden Wellenlängen 355 nm und 10...
In der Arbeit werden verschiedene theoretische Modelle vorgestellt, die erläutern welche Möglichkeiten es gibt, dass es zu einer Absorption in den transparenten Beschichtungsmaterialien kommt und welche Faktoren die Absorption beeinflussen. Hierbei wird vor allem auf die lineare und nichtlineare Absorption von Photonen eingegangen. Zudem wird analysiert welchen Stellenwert die Grösse der Bandlücke, im Bezug auf die Bearbeitung bei einer bestimmten Wellenlänge, einnimmt. Basierend auf den theoretischen Überlegungen, wurden experimentelle Versuche mit den beiden Wellenlängen 355 nm und 1064 nm durchgeführt und in einer abschliessenden Diskussion miteinander verglichen. Nachdem die Beschichtungen mit dem Laser bearbeitet wurden, wurde das Abtragsverhalten und die Abtragstiefe mit einem Lichtmikroskop und einem Rasterkraftmikroskop untersucht. Für die Beschichtungen wählte man Ti3O5 und SiO2, als Substrate wurden Si-Wafer und BK7-Glas verwendet.
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