Schaltverhalten beim IGBT-Transistor
Aufbau und Inbetriebnahme eines Prüfplatzes zur Untersuchung des Schaltverhaltens eines IGBT-Transistors
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Durch die Entdeckung der Halbleitermaterialien unddie damit verbundene Entwicklung der klassischenBauelemente Diode, Transistor etc. ist man in derLage den elektrischen Strom gerichtet steuern zukönnen. Es ist dadurch möglich, den Stromflußrespektive den Energiefluß auf die spezifischenErfordernisse des zu versorgenden Energiewandlersabzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieserklassischen Bauelemente hat moderneLeistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamischschalten und dabei verhältnismäßig kleine Verlusteverursachen.Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbarenLeist...
Durch die Entdeckung der Halbleitermaterialien und
die damit verbundene Entwicklung der klassischen
Bauelemente Diode, Transistor etc. ist man in der
Lage den elektrischen Strom gerichtet steuern zu
können. Es ist dadurch möglich, den Stromfluß
respektive den Energiefluß auf die spezifischen
Erfordernisse des zu versorgenden Energiewandlers
abzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieser
klassischen Bauelemente hat moderne
Leistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamisch
schalten und dabei verhältnismäßig kleine Verluste
verursachen.
Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbaren
Leistungshalbleitern ist der sog. Insulated Gate
Bipolar Transistor, kurz IGBT-Transistor. Das
Ziel dieser Arbeit besteht in dem Bau und der
Inbetriebnahme eines Versuchsstandes zur Darstellung
der charakteristischen Spannungen und Ströme am IGBT.
Anhand der dargestellten Verläufe kann dann am
IGBT-Ersatzschaltbild das transienteVerhalten
erklärt werden.
die damit verbundene Entwicklung der klassischen
Bauelemente Diode, Transistor etc. ist man in der
Lage den elektrischen Strom gerichtet steuern zu
können. Es ist dadurch möglich, den Stromfluß
respektive den Energiefluß auf die spezifischen
Erfordernisse des zu versorgenden Energiewandlers
abzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieser
klassischen Bauelemente hat moderne
Leistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamisch
schalten und dabei verhältnismäßig kleine Verluste
verursachen.
Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbaren
Leistungshalbleitern ist der sog. Insulated Gate
Bipolar Transistor, kurz IGBT-Transistor. Das
Ziel dieser Arbeit besteht in dem Bau und der
Inbetriebnahme eines Versuchsstandes zur Darstellung
der charakteristischen Spannungen und Ströme am IGBT.
Anhand der dargestellten Verläufe kann dann am
IGBT-Ersatzschaltbild das transienteVerhalten
erklärt werden.
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