Réalisation d¿un amplificateur hyperfréquence pour les systèmes 5G
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Afin de répondre à la demande croissante du nombre d'objets et services connectés et de débits de données plus élevés, la cinquième génération de réseau mobile (5G) va être déployée. Dans ce travail, la conception d'un amplificateur hyperfréquence en technologie microruban pour les systèmes de communication 5G est présentée. L'amplificateur à faible bruit proposé est basé sur un transistor à effet de champ ATF13786 d'Agilent Technologies (hp). Les réseaux de polarisation et d'adaptation sont mis en oeuvre en utilisant des lignes de transmission microruban. La conception ...
Afin de répondre à la demande croissante du nombre d'objets et services connectés et de débits de données plus élevés, la cinquième génération de réseau mobile (5G) va être déployée. Dans ce travail, la conception d'un amplificateur hyperfréquence en technologie microruban pour les systèmes de communication 5G est présentée. L'amplificateur à faible bruit proposé est basé sur un transistor à effet de champ ATF13786 d'Agilent Technologies (hp). Les réseaux de polarisation et d'adaptation sont mis en oeuvre en utilisant des lignes de transmission microruban. La conception a été fabriquée sur un PCB après avoir utilisé le logiciel de conception (ADS). L'amplificateur proposé montre d'excellentes performances en termes d'adaptation d'impédance, de gain de puissance et de stabilité inconditionnelle sur la bande passante d'exploitation allant de 3,3 GHz à 3,7 GHz. À 3,5 GHz, Les résultats montrent que l'amplificateur modélisé a un gain supérieur à 10 dB, un facteur de bruit inférieur à 2 dB, des coefficients de réflexion d'entrée et de sortie inférieurs à -10 dB et une stabilité inconditionnelle.
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