PROPRIETÀ OTTICHE ED ELETTRONICHE DEI SEMICONDUTTORI DEL GRUPPO II-VI
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Nei semiconduttori, due proprietà fondamentali, vale a dire l'energy gap e l'indice di rifrazione, determinano principalmente il loro funzionamento ottico ed elettronico. L'indice di rifrazione di un materiale di solito diminuisce con un aumento dell'energy gap, favorendo una relazione di fondo tra queste due quantità fondamentali. Ci sono stati molti tentativi di correlare queste due quantità con un'adeguata relazione empirica o semi-empirica. L'indice di rifrazione e il gap energetico dei semiconduttori rappresentano due aspetti fisici fondamentali che caratterizzano le loro proprietà ot...
Nei semiconduttori, due proprietà fondamentali, vale a dire l'energy gap e l'indice di rifrazione, determinano principalmente il loro funzionamento ottico ed elettronico. L'indice di rifrazione di un materiale di solito diminuisce con un aumento dell'energy gap, favorendo una relazione di fondo tra queste due quantità fondamentali. Ci sono stati molti tentativi di correlare queste due quantità con un'adeguata relazione empirica o semi-empirica. L'indice di rifrazione e il gap energetico dei semiconduttori rappresentano due aspetti fisici fondamentali che caratterizzano le loro proprietà ottiche ed elettroniche. Nel presente lavoro, ho studiato alcune delle proprietà ottiche ed elettroniche dei semiconduttori del gruppo II-VI. I composti II-VI sono ampiamente utilizzati nei rivelatori a infrarossi, nei transistor bipolari ad alta velocità, nelle comunicazioni in fibra ottica e nei dispositivi avanzati a microonde. Questi materiali possiedono il band gap diretto appropriato per produrre diodi che emettono luce e laser dal blu alla lunghezza d'onda rossa. Questi materiali sono caratterizzati da un diverso grado di ionicità che li rende adatti per un elevato accoppiamento elettro-ottico ed elettromeccanico. I semiconduttori II-VI ad ampio band gap sono utilizzati in dispositivi optoelettronici
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