Propriedades dielétricas do BiNbO4 adicionado com CuO e ZnO em RF e MW
Aplicáveis a dispositivos eletrônicos miniaturizados e antenas dielétricas
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O crescente progresso e desenvolvimento da indústria de telecomunicações comerciais até os mais modernos sistemas militares, são exigidos incessantes estudos para a criação e melhorias de dispositivos eletrônicos passivos de miniaturização, alto desempenho eletromagnético, confiabilidade e baixo custo. Muitos materiais para Radiofrequência e microondas têm sido amplamente usados em uma variedade de aplicações nestes segmentos. Nestas aplicações, as mais recentes tecnologias utilizam cerâmicas com baixa temperatura de sinterização, materiais de baixo ponto de fusão, materia...
O crescente progresso e desenvolvimento da indústria de telecomunicações comerciais até os mais modernos sistemas militares, são exigidos incessantes estudos para a criação e melhorias de dispositivos eletrônicos passivos de miniaturização, alto desempenho eletromagnético, confiabilidade e baixo custo. Muitos materiais para Radiofrequência e microondas têm sido amplamente usados em uma variedade de aplicações nestes segmentos. Nestas aplicações, as mais recentes tecnologias utilizam cerâmicas com baixa temperatura de sinterização, materiais de baixo ponto de fusão, materiais dielétricos com alta constante dielétrica, baixa perda dielétrica e baixo valor para os coeficientes de temperatura de frequência de ressonância. Cerâmicas dielétricas a base de Bismuto são candidatas como materiais de baixa temperatura de sinterização e têm sido estudadas amplamente. Este trabalho apresenta o desenvolvimento e caracterização de duas séries cerâmicas tendo como base uma matriz de niobato de bismuto, material conhecido por suas excelentes propriedades dielétricas. As séries cerâmicas foram produzidas a partir da reação de estado sólido, com a utilização de moagem mecânica de alta energia.
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