Optimierung der elektrischen Parameter (CNTFET)
Optimierung elektrischer Parameter für Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Feldeffekttransistoren (CNTFET)
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Im Bereich der Elektronik nimmt der Bedarf an technologischen Verbesserungen stetig zu. Bisher war Silizium das beliebteste Material, um den aktuellen Anforderungen gerecht zu werden. Allerdings hat Silizium seine eigenen Grenzen; Siliziumbasierte integrierte Schaltkreise und die Skalierung des Silizium-MOSFET-Designs stehen vor Problemen wie dem Tunneleffekt, dem Einfluss der Gate-Oxiddicke usw., was zur Entwicklung alternativer Materialien geführt hat. Das wachsende akademische Interesse an Kohlenstoffnanoröhren (CNTs) als möglicher neuer Art von elektronischem Material hat zu erheblichen...
Im Bereich der Elektronik nimmt der Bedarf an technologischen Verbesserungen stetig zu. Bisher war Silizium das beliebteste Material, um den aktuellen Anforderungen gerecht zu werden. Allerdings hat Silizium seine eigenen Grenzen; Siliziumbasierte integrierte Schaltkreise und die Skalierung des Silizium-MOSFET-Designs stehen vor Problemen wie dem Tunneleffekt, dem Einfluss der Gate-Oxiddicke usw., was zur Entwicklung alternativer Materialien geführt hat. Das wachsende akademische Interesse an Kohlenstoffnanoröhren (CNTs) als möglicher neuer Art von elektronischem Material hat zu erheblichen Fortschritten in der CNT-Physik geführt, einschließlich ballistischer und nichtballistischer Elektronentransporteigenschaften. Der Transport mit geringer Vorspannung in einer Nanoröhre kann über Entfernungen von mehreren hundert Nanometern nahezu ballistisch sein. Für nicht-ballistische CNT-Transistoren wurden erweiterte Modelle auf Schaltungsebene erstellt, die sowohl ballistische als auch nicht-ballistische Elektronentransportphänomene erfassen können, einschließlich elastischer Effekte, Phononenstreuung, Verformung und Tunneleffekte. Der Einfluss der Gate-Oxiddicke auf die Leistung nichtballistischer CNTFETs wurde in unserem Ergebnisabschnitt untersucht.
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