Nutzung der oberen Mikrowelle
Verringerung des optischen Spektrums durch Verwendung von Vakuumtransistoren in Verstärkerschaltungen
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Es gibt viele breite und nicht zugewiesene Frequenzbänder im Sub-Terahertz-Bereich (über 100 GHz), die für Breitbandanwendungen attraktiv sind. Das Potenzial dieser nicht lizenzierten und ungenutzten Terahertz-Lücke im Spektrum zwischen Mikrowellen und optischen Frequenzen, wie z. B. die enorme Bandbreite, die sehr geringe Größe, die sehr hohen Datenraten für drahtlose Chip-to-Chip-Kommunikationsanwendungen und die geringere Wahrscheinlichkeit externer Störungen, ist eine Herausforderung nicht nur für Weltraumanwendungen, sondern auch für Verteidigungsanwendungen. Die Schwächen der ...
Es gibt viele breite und nicht zugewiesene Frequenzbänder im Sub-Terahertz-Bereich (über 100 GHz), die für Breitbandanwendungen attraktiv sind. Das Potenzial dieser nicht lizenzierten und ungenutzten Terahertz-Lücke im Spektrum zwischen Mikrowellen und optischen Frequenzen, wie z. B. die enorme Bandbreite, die sehr geringe Größe, die sehr hohen Datenraten für drahtlose Chip-to-Chip-Kommunikationsanwendungen und die geringere Wahrscheinlichkeit externer Störungen, ist eine Herausforderung nicht nur für Weltraumanwendungen, sondern auch für Verteidigungsanwendungen. Die Schwächen der Vakuumröhren (sperrig und diskret) können überwunden werden, wenn die Vakuumröhren mit Hilfe von Silizium-Nanofabrikationstechnologien hergestellt werden und der Betriebsmechanismus von thermionischer Emission auf Feldemission umgestellt wird. In dieser Diplomarbeit wird das Forschungsdesign eines 150-nm-Vakuumkanaltransistors unter Verwendung geeigneter Softwaretools vorgestellt. Dieser Transistor arbeitet bei Frequenzen oberhalb des Mikrowellenspektrums und unterhalb des optischen Spektrums, d.h. zwischen 100 GHz und 3 THz, unter Verwendung des traditionellen Siliziumprozesses.
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