Modélisation électrique large signal de Phototransistor SiGe
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Un modèle électrique compact d'un phototransistor à hétérojonction (PTH) SiGe est élaboré. Ce modèle est valide en fonctionnement électrique comme en fonctionnement optique, et ceci en régime statique et en dynamique. Cette validation a été assurée en comparant les résultats de la simulation du modèle avec les mesures sur le PTH. Le modèle proposé peut être utilisé pour concevoir et simuler des circuits opto-microondes. Plusieurs phénomènes physiques ont été identifiés; la contribution de la région de la fenêtre optique au fonctionnement intrinsèque, le mouvement 2D ...
Un modèle électrique compact d'un phototransistor à hétérojonction (PTH) SiGe est élaboré. Ce modèle est valide en fonctionnement électrique comme en fonctionnement optique, et ceci en régime statique et en dynamique. Cette validation a été assurée en comparant les résultats de la simulation du modèle avec les mesures sur le PTH. Le modèle proposé peut être utilisé pour concevoir et simuler des circuits opto-microondes. Plusieurs phénomènes physiques ont été identifiés; la contribution de la région de la fenêtre optique au fonctionnement intrinsèque, le mouvement 2D des porteurs de charge dans le composant, en plus de l'effet de la puissance optique absorbée sur les capacités de jonctions et le temps de transit en sont des exemples. L'originalité de ce travail est la prise en compte tous les phénomènes physiques observés dans le PTH. De plus, le modèle est indépendant du type de polarisation de la base (tension/courant), et l'amplification du photocourant est assurée naturellement sans utiliser un paramètre représentant le gain optique. Ce modèle est simple: il contient un nombre minimal de noeuds, des équations adaptées et un schéma électrique équivalent très simplifié.
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