
Modélisation et caractérisation des dispositifs hybrides
Dispositif hybride pour les applications à haute vitesse et à faible consommation d'énergie
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
44,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
22 °P sammeln!
Dans les circuits électroniques à haute vitesse et à faible consommation d'énergie, il est nécessaire d'utiliser des dispositifs présentant des caractéristiques plus abruptes. La vitesse du dispositif augmente avec des caractéristiques IV plus raides, et une faible puissance est obtenue en faisant fonctionner le dispositif dans la région du sous-seuil. La mesure des courants dans la région du sous-seuil est un grand défi. Pour obtenir une commutation élevée, nous devons proposer un nouveau dispositif combinant les avantages du FinFET et du TFET. Cette thèse propose un dispositif ...
Dans les circuits électroniques à haute vitesse et à faible consommation d'énergie, il est nécessaire d'utiliser des dispositifs présentant des caractéristiques plus abruptes. La vitesse du dispositif augmente avec des caractéristiques IV plus raides, et une faible puissance est obtenue en faisant fonctionner le dispositif dans la région du sous-seuil. La mesure des courants dans la région du sous-seuil est un grand défi. Pour obtenir une commutation élevée, nous devons proposer un nouveau dispositif combinant les avantages du FinFET et du TFET. Cette thèse propose un dispositif hybride avec une valeur SS < 25 mV/Dec. Synopsis Centaurus TCAD est utilisé dans cette thèse pour la modélisation et la caractérisation du dispositif.