Modelo matemático para el diseño de antena Lente RADANT
Diseño de lente RADANT con comutadores diodo pin y MEMS
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El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóric...
El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóricos de 62 grados en el plano E y de 12.6 grados en el plano H con coeficientes de conversión superiores a -2dB y -3.4dB, respectivamente, en un ancho de banda de 4GHz. La sustitución de los diodos p-i-n por conmutadores MEMS resultó en aumento de coeficiente de conversión teórico en 0.43dB para la lente operando en la banda X. Para mejorar las características de escaneo en el plano H modificamos el diseño de lente RADANT en la banda X. Como resultado, el sector de escaneo de la lente modificada aumentó 1.75 veces. El modelo matemático fue verificado experimentalmente.
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