Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate
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Questo libro descrive il concetto di progettazione di SRAM nelle tecnologie FinFET utilizzando le caratteristiche uniche dei dispositivi a doppia griglia non planari. Viene esplorato lo spazio dei parametri richiesto per la progettazione dei FinFET. Verranno presentate diverse tecniche di progettazione di SRAM che sfruttano i vantaggi delle configurazioni a gate vincolato e a gate indipendente. Le prestazioni, la potenza e la stabilità delle SRAM per i dispositivi FinFET sono confrontate con le controparti CMOS planari convenzionali. Verrà inoltre presentata la modellazione della variabilitÃ...
Questo libro descrive il concetto di progettazione di SRAM nelle tecnologie FinFET utilizzando le caratteristiche uniche dei dispositivi a doppia griglia non planari. Viene esplorato lo spazio dei parametri richiesto per la progettazione dei FinFET. Verranno presentate diverse tecniche di progettazione di SRAM che sfruttano i vantaggi delle configurazioni a gate vincolato e a gate indipendente. Le prestazioni, la potenza e la stabilità delle SRAM per i dispositivi FinFET sono confrontate con le controparti CMOS planari convenzionali. Verrà inoltre presentata la modellazione della variabilità dei FinFET attraverso le statistiche. Il dispositivo MOSFET è stato confrontato sia con il poli-silicio che con il molibdeno come materiale di gate e il dispositivo FinFET è stato progettato con diversi materiali di gate come oro, tungsteno, tantalio e molibdeno e i risultati sono stati confrontati con i dispositivi con materiale di gate in poli-silicio.
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