Materiais de Película Fina para Aplicações Fotovoltaicas
Simulação Numérica e Otimização sob SCAPS-1D de propriedades 3C-SiC
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 1-2 Wochen
36,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
18 °P sammeln!
O objetivo deste trabalho é estudar a possibilidade de aplicar na tecnologia fotovoltaica um material semicondutor binário com Silício como o semicondutor mais responsivo na tecnologia de células solares. O carboneto de silício contém um condutor importante e amplamente utilizado não só pelas suas propriedades físicas, mas também pelas suas propriedades fotovoltaicas que podem ser exploradas na fabricação de células no desenvolvimento de materiais semicondutores para a tecnologia fotovoltaica. O estudo está centrado num componente binário silício-carbono a partir da prospecçã...
O objetivo deste trabalho é estudar a possibilidade de aplicar na tecnologia fotovoltaica um material semicondutor binário com Silício como o semicondutor mais responsivo na tecnologia de células solares. O carboneto de silício contém um condutor importante e amplamente utilizado não só pelas suas propriedades físicas, mas também pelas suas propriedades fotovoltaicas que podem ser exploradas na fabricação de células no desenvolvimento de materiais semicondutores para a tecnologia fotovoltaica. O estudo está centrado num componente binário silício-carbono a partir da prospecção fundamental das propriedades estruturais e electrónicas do SiC sob o código Wien2k; Uma simulação numérica com SCAPS-1D de duas formas de PN e PiN com base no SiC e 3C-SiC apresentou com maior precisão um processo adequado para a escolha do material mais adequado como camada transparente com este material e tornando assim possível ter um melhor rendimento desta célula fotovoltaica superior aos 20%. O estudo de alguns parâmetros que desempenham um papel importante na melhoria da
Andere Kunden interessierten sich für
