Sonq Kashiewa, Sergej N. Dmitriew

Broschiertes Buch

MäV-obluchenie älektronami geterostruktur Si

Beschreibung

Izucheno obrazowanie radiacionnyh defektow pri wysokoänergeticheskom MäV-älektronnom obluchenii struktury Si-SiO2 n- i p-tipa s razlichnymi widami oxidow. Morfologicheskie izmeneniq oxida SiO2 pri obluchenii älektronow MäV-älementow nablüdalis' pri ASM. Predstawleny iony Si+, implantirowannye Si-SiO2 struktury do i posle oblucheniq älektronami MäV. Pereraspredelenie atomow kisloroda i kremniq i generaciq nanokristallow Si pri obluchenii älektronow MäV nablüdalis' metodami BKS/S i ASM sootwetstwenno. Takzhe prowedeny opticheskie swojstwa, fotolüminescenciq i spektroskopicheskie issledowaniq plenok SiOx, obluchennyh MäV-älektronami.

Autor

Professor Sonq Kashiewa, doktor filosofskih nauk, ISPP, BAS. Sofiq, Bolgariq. Rodilas' w 1943 godu, Bolgariq. 1999 g. - doktor nauk w OIYaI, Dubna, Rossiq. 2004 g. - Professor, associirowannyj chlen IFTT - BAS. Dmitriew Sergej Nikolaewich, doktor filosofskih nauk, OIYaI, Dubna - Rossiq Rodilsq w 1954 g., 1996 g. Doktor nauk, OIYaI, Dubna, Rossiq 2000 g. Professor, direktor OIYaI FLNR.

Produktdetails

• Verlag: Sciencia Scripts
• Seitenzahl: 180
• Erscheinungstermin: 21. Mai 2020
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 11mm
• Gewicht: 286g
• ISBN-13: 9786200995780
• ISBN-10: 6200995788
• Artikelnr.: 59863075