Kristally Ge-Si i ih swojstwa
Poluchenie i älektricheskie swojstwa twördyh rastworow Ge-Si, slozhnolegirowannyh primesqmi medi, indiq i sur'my
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 1-2 Wochen
41,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
21 °P sammeln!
V rabote predstawleny rezul'taty issledowanij po polucheniü slozhnolegirowannyh kristallow Ge-Si, s zadannym sostawom i koncentraciej primesej medi, indiq i sur'my, a takzhe po älektrotransportnym swojstwam i spektru primesnyh sostoqnij w ätih materialah.V priblizhenii polnost'ü razmeshennogo rasplawa, reshena teoreticheskaq zadacha po koncentracionnomu raspredeleniü osnownyh komponentow i primesej w kristallah twördyh rastworow, wyraschennyh iz rasplawa konserwatiwnymi i nekonserwatiwnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniq udowletworitel'no opisywaüt äxp...
V rabote predstawleny rezul'taty issledowanij po polucheniü slozhnolegirowannyh kristallow Ge-Si, s zadannym sostawom i koncentraciej primesej medi, indiq i sur'my, a takzhe po älektrotransportnym swojstwam i spektru primesnyh sostoqnij w ätih materialah.V priblizhenii polnost'ü razmeshennogo rasplawa, reshena teoreticheskaq zadacha po koncentracionnomu raspredeleniü osnownyh komponentow i primesej w kristallah twördyh rastworow, wyraschennyh iz rasplawa konserwatiwnymi i nekonserwatiwnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniq udowletworitel'no opisywaüt äxperimental'nye dannye po raspredeleniü komponentow i primesej indiq i sur'my w kristallah germanij-kremnij. Razrabotany metodiki wyraschiwaniq i legirowaniq primesqmi In i Sb kristallow Ge-Si (0¿h¿0,30) s zadannoj koncentraciej primesej metodom naprawlennogo koncentracionnogo pereohlazhdeniq i konserwatiwnym metodom Bridzhmena. Ustanowleno, chto koäfficienty segregacii issledowannyh primesej izmenqütsq linejno s sostawom twördyh rastworow germanij-kremnij.
Andere Kunden interessierten sich für
