Kathodoluminescentie-karakterisering: Toepassingen op Nitriden
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 1-2 Wochen
18,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
9 °P sammeln!
Dit werk presenteert een tweedimensionaal rekenmodel van kathodoluminescentie (CL) intensiteit dat rekening houdt met de laterale en diepteverstrooiing van gegenereerde dragers, interne absorptie (alfa), generatiesnelheid, intrinsieke en extrinsieke radiatieve recombinatiemechanismen, en experimentele condities van elektronen excitatie. Een experimentele studie over GaN met deze techniek wordt gepresenteerd, gevolgd door een vergelijking en validatie. De studie van de invloed van enkele fysische parameters zoals de strooilengte, de oppervlakterecombinatiesnelheid van minderheidsdragers en de a...
Dit werk presenteert een tweedimensionaal rekenmodel van kathodoluminescentie (CL) intensiteit dat rekening houdt met de laterale en diepteverstrooiing van gegenereerde dragers, interne absorptie (alfa), generatiesnelheid, intrinsieke en extrinsieke radiatieve recombinatiemechanismen, en experimentele condities van elektronen excitatie. Een experimentele studie over GaN met deze techniek wordt gepresenteerd, gevolgd door een vergelijking en validatie. De studie van de invloed van enkele fysische parameters zoals de strooilengte, de oppervlakterecombinatiesnelheid van minderheidsdragers en de absorptiecoëfficiënt op de intensiteit van LC. De nadruk werd gelegd op de afhankelijkheid van het LC-signaal van excitatieparameters. Om de experimentele resultaten te interpreteren en ons model te valideren hebben we het effect van stress en het thermische effect dat gepaard gaat met de elektronische excitatie op de fundamentele piekontwikkeling van CL bestudeerd. Deze studie heeft ons ook in staat gesteld om de variatie in LC-intensiteit te verklaren met concurrerende alfa-verschijnselen, het lokale effect van de temperatuur en het effect van de spanningen die in het materiaal aanwezig zijn.
Andere Kunden interessierten sich für
