Jelektronnaq struktura nanoplenok na osnowe binarnyh materialow
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
40,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
20 °P sammeln!
Mnogoslojnye sistemy tipa CaF2 ¿ CoSi2 ¿ Si, GaAlAs ¿ GaAs w nastoqschee wremq shiroko primenqütsq w strukturah kremnij (ili inoj poluprowodnik) na diälektrike, priborah na osnowe MDP ¿ struktur. Oni takzhe primenqütsq dlq sozdaniq wspomogatel'nyh älementow pribornyh struktur mikroälektroniki, wklüchaq zaschitnye i diälektricheskie sloi dlq materialow A3V5, opticheskie pokrytiq i okna dlq optoälektroniki, monokristallicheskie wysokorazreshaüschie rezisty, bufernye sloi dlq sozdaniq na osnowe kremniq nowyh geterokompozicij, naprimer, almaz ¿ na kremnii i t.p. V dannoj rabote priwe...
Mnogoslojnye sistemy tipa CaF2 ¿ CoSi2 ¿ Si, GaAlAs ¿ GaAs w nastoqschee wremq shiroko primenqütsq w strukturah kremnij (ili inoj poluprowodnik) na diälektrike, priborah na osnowe MDP ¿ struktur. Oni takzhe primenqütsq dlq sozdaniq wspomogatel'nyh älementow pribornyh struktur mikroälektroniki, wklüchaq zaschitnye i diälektricheskie sloi dlq materialow A3V5, opticheskie pokrytiq i okna dlq optoälektroniki, monokristallicheskie wysokorazreshaüschie rezisty, bufernye sloi dlq sozdaniq na osnowe kremniq nowyh geterokompozicij, naprimer, almaz ¿ na kremnii i t.p. V dannoj rabote priwedeny rezul'taty komplexnogo izucheniq mehanizmow modifikacii i osobennostej obrazowaniq nanorazmernyh struktur w powerhnostnyh sloqh PdBa, CoSi2, CaF2 i GaAs pri nizkoänergeticheskoj ionnoj bombardirowke s posleduüschej termicheskoj i lazernoj obrabotkoj.
Andere Kunden interessierten sich für
