Issledowanie wliqniq konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa
Na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
26,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
13 °P sammeln!
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' k...
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala tranzistora dlq razlichnoj koncentracii legirowaniq kontaktnogo sloq.
Andere Kunden interessierten sich für
