Investigações sobre a avaliação do desempenho do CMOS VLSI
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A progressão na integração em muito grande escala, biliões de transístores e componentes podem ser colocados num único chip semicondutor para implementação de circuitos complexos. O crescimento da tecnologia recente é no sentido da miniaturização de dispositivos semicondutores, que têm vários obstáculos notáveis na dissipação de calor, no abastecimento de energia, na área do chip e na eficiência dos dispositivos. À medida que a tecnologia avança mais para um nível submicron profundo, os tamanhos das características, a dissipação de energia devido à corrente de fuga es...
A progressão na integração em muito grande escala, biliões de transístores e componentes podem ser colocados num único chip semicondutor para implementação de circuitos complexos. O crescimento da tecnologia recente é no sentido da miniaturização de dispositivos semicondutores, que têm vários obstáculos notáveis na dissipação de calor, no abastecimento de energia, na área do chip e na eficiência dos dispositivos. À medida que a tecnologia avança mais para um nível submicron profundo, os tamanhos das características, a dissipação de energia devido à corrente de fuga estão a aumentar a um ritmo alarmante. Numerosas projecções mostram que a potência de fuga irá evoluir para uma dissipação de energia análoga à dinâmica nos próximos anos; contudo, a potência dinâmica também está a aumentar e ainda domina. A solução ideal para resolver estes obstáculos é analisar o desempenho do circuito VLSI concebido utilizando diferentes tecnologias CMOS.
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