Inversor multinível trifásico em cascata
Uma abordagem com células de comutação em série
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Atualmente alguns dispositivos semicondutores são capazes de conduzir elevadas correntes e suportar grandes tensões quando bloqueados. Como exemplos podem-se citar: IGBT, IGCT, GCT, GTO e SCR. Entretanto, em algumas aplicações são requeridas tensões e correntes que vão além do valor máximo permitido para estes dispositivos. Uma alternativa para diminuir os esforços nestes dispositivos seria o emprego dos inversores multiníveis. Estes inversores têm como principal característica, obter uma forma de onda com diversos níveis de tensão na carga. As vantagens das estruturas multinív...
Atualmente alguns dispositivos semicondutores são capazes de conduzir elevadas correntes e suportar grandes tensões quando bloqueados. Como exemplos podem-se citar: IGBT, IGCT, GCT, GTO e SCR. Entretanto, em algumas aplicações são requeridas tensões e correntes que vão além do valor máximo permitido para estes dispositivos. Uma alternativa para diminuir os esforços nestes dispositivos seria o emprego dos inversores multiníveis. Estes inversores têm como principal característica, obter uma forma de onda com diversos níveis de tensão na carga. As vantagens das estruturas multiníveis incluem qualidade na alimentação, excelente distribuição de tensão nos interruptores, boa compatibilidade eletromagnética, baixa perda de comutação e capacidade de trabalhar em altas tensões e potências. O Inversor Multinível em Cascata é um dos inversores multiníveis mais utilizados na indústria, entretanto, o mesmo é patenteado. Assim, neste documento é apresentada uma versão não patenteada deste inversor utilizando células de comutação em série.
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