Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium
Epitaxie par jets moléculaires - Applications composants
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Ce travail concerne le développement et l'évaluation de nitrures d'éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail était la réalisation et l'étude d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'évaluer leurs potentialités pour deux types d'applications. La première concerne les microcavités destinées à l'étude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D d'électrons. Le chapitre I est consacré à l...
Ce travail concerne le développement et l'évaluation de nitrures d'éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail était la réalisation et l'étude d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'évaluer leurs potentialités pour deux types d'applications. La première concerne les microcavités destinées à l'étude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D d'électrons. Le chapitre I est consacré à la description d'un procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, L'étude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures d'éléments III.
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