Himicheskoe osazhdenie iz gazowoj fazy stekloobraznyh tonkih plenok
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
55,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
28 °P sammeln!
Oblast' monografii - poluchennye metodami himicheskogo osazhdeniya iz gazovoj fazy (HOGF) tonkie neorganicheskie stekloobraznye plenki, ispol'zuemye v tehnologiyah mikrojelektroniki, mikro- i nanosistemnoj tehniki, optojelektroniki. Na osnovanii ob#emnogo jexperimental'nogo materiala, v tom chisle poluchennogo lichno avtorom i kollektivami pod rukovodstvom avtora, proanalizirovany processy HOGF i svojstva tonkih plenok nitrida kremniya, dioxida kremniya, fosfor- i borsilikatnyh tonkih plenok. Sozdany osnovnye predstavleniya o kinetike rosta plenok pri HOGF. Ustanovleny kolichestvennye kriterii...
Oblast' monografii - poluchennye metodami himicheskogo osazhdeniya iz gazovoj fazy (HOGF) tonkie neorganicheskie stekloobraznye plenki, ispol'zuemye v tehnologiyah mikrojelektroniki, mikro- i nanosistemnoj tehniki, optojelektroniki. Na osnovanii ob#emnogo jexperimental'nogo materiala, v tom chisle poluchennogo lichno avtorom i kollektivami pod rukovodstvom avtora, proanalizirovany processy HOGF i svojstva tonkih plenok nitrida kremniya, dioxida kremniya, fosfor- i borsilikatnyh tonkih plenok. Sozdany osnovnye predstavleniya o kinetike rosta plenok pri HOGF. Ustanovleny kolichestvennye kriterii i obosnovana kineticheskaya shema processov HOGF, predlozheny sposoby optimizacii processov i apparatury HOGF. Ispol'zovany sovremennye metody issledovanij struktury, sostava i svojstv tonkih plenok. Predlozheny shemy stroeniya plenok stekol, izlozheny podhody k optimizacii tonkoplenochnyh materialov. Vydeleny osnovnye istoricheskie jetapy razvitiya processov HOGF tonkih plenok primenitel'no k tehnologii mikrojelektroniki, sformulirovany zadachi i napravleniya dal'nejshego razvitiya. Rekomenduetsya magistrantam i aspirantam tehnicheskih universitetov, issledovatelyam i tehnologam sovremennyh naukoemkih proizvodstv.
Andere Kunden interessierten sich für
