Entwicklung von siliziumbasierten Transistoren für den Einsatz bei hohen Temperaturen in der Gassensorik
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In dieser Arbeit werden unterschiedliche MOSFET-Konzepte hinsichtlich ihrer Temperaturstabilität verglichen. Ferner wird eines der Konzepte in einen Feldeffekt-Gassensor integriert und charakterisiert. Zu den MOSFET-Konzepten zählen zum einen laterale und zum anderen vertikale Transistoren. Die laterale MOSFETVariante wird auf Silizium und SOI-Substraten (Silicon On Insulator) aufgebaut. Durch den Einsatz der SOI-Substrate kann eine deutliche Steigerung der Temperaturstabilität erzielt werden. Die vertikale MOSFET-Variante bietet bedingt durch die Prozessführung eine einfache Möglichkeit ...
In dieser Arbeit werden unterschiedliche MOSFET-Konzepte hinsichtlich ihrer Temperaturstabilität verglichen. Ferner wird eines der Konzepte in einen Feldeffekt-Gassensor integriert und charakterisiert. Zu den MOSFET-Konzepten zählen zum einen laterale und zum anderen vertikale Transistoren. Die laterale MOSFETVariante wird auf Silizium und SOI-Substraten (Silicon On Insulator) aufgebaut. Durch den Einsatz der SOI-Substrate kann eine deutliche Steigerung der Temperaturstabilität erzielt werden. Die vertikale MOSFET-Variante bietet bedingt durch die Prozessführung eine einfache Möglichkeit zur Realisierung von kurzen Kanallängen und hohen Kanaldotierungen. Vor allem durch die hohe Kanaldotierung ist dieses Konzept prädestiniert für den Aufbau von temperaturstabilen MOSFETs. Weitere Temperaturfestigkeit der vertikalen MOSFETs kann durch eine Modifikation des Kanaldotierprofils gewonnen werden. In dem hergestellten Gassensor wird ein vertikaler Auslesetransistor eingesetzt. Die Funktion des Sensors wird anhand von Gasmessungen nachgewiesen.
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