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Entwicklung und Realisierung eines faseroptischen Feldsensors auf der Basis von 'Photonic bandgap'-Materialien
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Die Dissertation beschreibt die Entwicklung und die technologische Realisierung eines neuartigen faseroptischen Sensors zur Messung der elektrischen Feldstärke, der sich durch eine Ortsauflösung im µm-Bereich sowie durch eine hohe Empfindlichkeit und Bandbreite auszeichnet. Erstmalig wurde mit einem GaAs/AlAs-Vielschichthalbleiter ein 'Photonic bandgap' (PBG)-Material als Messwertaufnehmer in einem Feldsensor eingesetzt. Die spezifischen Eigenschaften der verwendeten GaAs/AlAs-Vielschichthalbleiter werden anhand theoretischer und experimenteller Ergebnisse vorgestellt. Hierauf basierend wer...
Die Dissertation beschreibt die Entwicklung und die technologische Realisierung eines neuartigen faseroptischen Sensors zur Messung der elektrischen Feldstärke, der sich durch eine Ortsauflösung im µm-Bereich sowie durch eine hohe Empfindlichkeit und Bandbreite auszeichnet. Erstmalig wurde mit einem GaAs/AlAs-Vielschichthalbleiter ein 'Photonic bandgap' (PBG)-Material als Messwertaufnehmer in einem Feldsensor eingesetzt. Die spezifischen Eigenschaften der verwendeten GaAs/AlAs-Vielschichthalbleiter werden anhand theoretischer und experimenteller Ergebnisse vorgestellt. Hierauf basierend werden der Aufbau, das Funktionsprinzip sowie die technologische Realisierung des Sensors erläutert. Die charakteristischen Kenngrößen des Sensors (Empfindlichkeit, Linearität, Bandbreite, Ortsauflösung) werden ausführlich diskutiert. Anhand von Feldverteilungsmessungen wird abschließend die Praxistauglichkeit des Feldsensors nachgewiesen.