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Theoretische Bandstrukturanalyse von Leitern, Halbleiterisolatoren
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Leiter, Halbleiter (direkte und indirekte Bandlücke) und Isolatoren spielen in den Forschungsfeldern Physik und Materialwissenschaften eine wichtige Rolle. Fast alle Materialien weisen irgendeine Art von elektronischen Eigenschaften auf. Wir haben die Berechnung zur Untersuchung der Bandstruktur und Zustandsdichte (DoS) mithilfe des WIEN-Codes in der Dichtefunktionaltheorie (DFT) durchgeführt. In dieser Arbeit wird die Bandstrukturberechnung für Mangan (Mn), Silizium (Si) - indirekte Bandlücke, Indium-Phosphor (In-P) direkte Bandlücke und Brom (Br) durchgeführt, die eng mit den verfügba...
Leiter, Halbleiter (direkte und indirekte Bandlücke) und Isolatoren spielen in den Forschungsfeldern Physik und Materialwissenschaften eine wichtige Rolle. Fast alle Materialien weisen irgendeine Art von elektronischen Eigenschaften auf. Wir haben die Berechnung zur Untersuchung der Bandstruktur und Zustandsdichte (DoS) mithilfe des WIEN-Codes in der Dichtefunktionaltheorie (DFT) durchgeführt. In dieser Arbeit wird die Bandstrukturberechnung für Mangan (Mn), Silizium (Si) - indirekte Bandlücke, Indium-Phosphor (In-P) direkte Bandlücke und Brom (Br) durchgeführt, die eng mit den verfügbaren experimentellen Ergebnissen übereinstimmt. Ferner wird aus der Untersuchung der gesamten und partiellen Zustandsdichte von Mn, vSi, In-P und Br ersichtlich, dass es sich bei den Materialien um Leiter, Halbleiter (indirekte und direkte Bandlücke) und Isolatoren handelt. Zunächst wird die Struktur mit den vorhandenen Gitterparametern optimiert und die elektronischen Eigenschaften für die optimierte Struktur bestimmt. Das Bandprofil und die DoS-Histogramme weisen auf die Beweglichkeit der Elektronen vom Valenzband zum Leitungsband hin. Die vorhandene/nicht vorhandene Energielücke zwischen dem Valenz- und Leitungsband wird untersucht, um die Leitfähigkeit der gemeldeten Materialien zu ermitteln.
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