Déposition des couches minces par pulvérisation
Influence de divers paramètres sur le processus de pulvérisation
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Ce livre porte sur l'étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).La pulvérisation est caractérisé par un rendement de pulvérisation « Y » qui dépend de plusieurs paramétrés, en particulier I'énergie des ions pulvérisés en incidence normale et avec une variation de l'angle. Nos recherches sont envisagées dans une première étape pour calculer Y de trois métaux: le cuivre, l'argent et l'aluminium. Ces derniers entrent en collision...
Ce livre porte sur l'étude de dépôt de couches minces par la pulvérisation cathodique qui présente la partie la plus utilisée dans le processus de dépôt physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).La pulvérisation est caractérisé par un rendement de pulvérisation « Y » qui dépend de plusieurs paramétrés, en particulier I'énergie des ions pulvérisés en incidence normale et avec une variation de l'angle. Nos recherches sont envisagées dans une première étape pour calculer Y de trois métaux: le cuivre, l'argent et l'aluminium. Ces derniers entrent en collision avec des ions d'argon, du xénon, et de Néon en utilisant un logiciel hautement développé appelé SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) en incidence normale, puis avec des angles varies.L'énergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du dépôt physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en étroite relation avec divers paramètres. Dans ce travail, nous présentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le procédé de pulvérisation de couches déposées de métaux (Cu, Al et Ag) et de semiconducteurs (Ge, Te et Si)