Diseño y análisis de PA de clase E: Una banda de 4GHz para aplicaciones móviles
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Diseño y análisis de un amplificador de potencia clase E en una banda de 4GHz para aplicaciones móviles. En este trabajo se diseñó un amplificador de potencia clase E con red de carga y un único transistor sin reactancia excesiva a mayor frecuencia para resolver los problemas como: Disipación de potencia en el dispositivo activo, variación de la tensión de alimentación y limitación de la inducción mediante el diseño de un amplificador de banda estrecha. En este trabajo de investigación se diseña y presenta el modelo de amplificador de potencia de clase E. Se ha demostrado su éx...
Diseño y análisis de un amplificador de potencia clase E en una banda de 4GHz para aplicaciones móviles. En este trabajo se diseñó un amplificador de potencia clase E con red de carga y un único transistor sin reactancia excesiva a mayor frecuencia para resolver los problemas como: Disipación de potencia en el dispositivo activo, variación de la tensión de alimentación y limitación de la inducción mediante el diseño de un amplificador de banda estrecha. En este trabajo de investigación se diseña y presenta el modelo de amplificador de potencia de clase E. Se ha demostrado su éxito mediante la verificación en el simulador de circuitos multisim. Para probar que esta teoría es correcta se ha realizado una expresión para obtener la condición de conmutación óptima correcta. Se realizó el cálculo al 100%, la simulación al 98,42% y el diseño experimental al 90,34% de un amplificador de potencia de clase E con red de carga y un solo transistor, se logró la eficiencia global, alimentado con 1,8V cc. El amplificador funcionó a una frecuencia de banda de 4GHz y un ciclo de trabajo del 50% para una señal sinusoidal estable, por lo que se puede concluir que el funcionamiento óptimo sólo puede lograrse con una resistencia de carga óptima, R2= R1. a R2 = R1 la tensión de salida sinusoidal alcanzará casi el máximo.
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