Broschiertes Buch

Defektoobrazowanie w arsenide galliq pri ionnom obluchenii

Vliqnie oblucheniq ionami argona nizkih änergij na strukturu i swojstwa arsenida galliq

Versandkostenfrei!

Versandfertig in 1-2 Wochen

45,99 €

inkl. MwSt.

Jetzt bewerten

PAYBACK Punkte

23 °P sammeln!

V monografii priwedeny äxperimental'nye rezul'taty po nizkoänergetichnomu oblucheniü monokristallicheskogo arsenida galliq ionami argona s änergiej 5 käV. Issledowano wliqnie oblucheniq razlichnymi dozami na strukturnye, opticheskie i fotoälektricheskie swojstwa. Obnaruzheno izmenenie swojstw na rasstoqniqh znachitel'no prewyshaüschih glubinu proniknoweniq ionow. Predlozhena fiziko-matematicheskaq model' defektno-dislokacionnoj perestrojki struktury s klasterizaciej tochechnyh defektow. Opredeleny osnownye urawneniq, uslowiq primenimosti, proweden teoreticheskij i chislennyj raschet.