Crecimiento y caracterización de una película delgada de ITO mediante sputtering de magnetrón
Crecimiento del ITO
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En este estudio se cultivaron películas delgadas de óxido de indio y estaño (ITO) mediante las técnicas de sputtering de magnetrón DC y RF. Para conocer la tasa de deposición de ITO, se calibró el sistema tanto para DCMS como para RFMS y, a continuación, se cultivó ITO sobre sustrato de vidrio con un espesor de 70 nm y 40 nm cambiando la temperatura del sustrato. Se investigó el efecto de la temperatura del sustrato, el espesor de la película y el método de sputtering sobre las propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Los resultados muestran que la temperatura del sustrat...
En este estudio se cultivaron películas delgadas de óxido de indio y estaño (ITO) mediante las técnicas de sputtering de magnetrón DC y RF. Para conocer la tasa de deposición de ITO, se calibró el sistema tanto para DCMS como para RFMS y, a continuación, se cultivó ITO sobre sustrato de vidrio con un espesor de 70 nm y 40 nm cambiando la temperatura del sustrato. Se investigó el efecto de la temperatura del sustrato, el espesor de la película y el método de sputtering sobre las propiedades estructurales, eléctricas y ópticas. Los resultados muestran que la temperatura del sustrato y el grosor de la película afectan sustancialmente a las propiedades de la misma, especialmente a la cristalización y a la resistividad. Las películas delgadas crecidas a menos de 150 oC mostraron una estructura amorfa. Sin embargo, se detectó la cristalización con el aumento de la temperatura del sustrato. Se calculó que la brecha de banda de ITO era de unos 3,64 eV a la temperatura del sustrato de 150 oC, y se amplió con el aumento de la temperatura del sustrato. A partir de las mediciones eléctricas se obtuvo una resistividad a temperatura ambiente de 1,28×10-4 y 1,29×10-4 D-cm, para las películas pulverizadas por CC y RF, respectivamente. También medimos la resistividad en función de la temperatura y el coeficiente Hall de las películas, y calculamos la concentración de portadores y la movilidad Hall.
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