Capacités Variables et Inductances MEMS RF (Intégration 'Above-IC')
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Ce projet présente le design, la simulation et la fabrication des capacités variables à électrodes fragmentées (AlSi) qui se déplacent latéralement à l aide d actionneurs électrothermique et électrostatique. Tous les composants passifs MEMS sont réalisés à de faibles températures (compatible Above-IC ), en utilisant, une couche sacrificielle polyimide, 4 um d AlSi comme couche structurelle et du cuivre épais. Pour augmenter la variation de capacité, nous nous sommes concentré sur la variation de surface. Ces solutions évitent l effet pull-in mais la variation de la capacité ...
Ce projet présente le design, la simulation et la fabrication des capacités variables à électrodes fragmentées (AlSi) qui se déplacent latéralement à l aide d actionneurs électrothermique et électrostatique. Tous les composants passifs MEMS sont réalisés à de faibles températures (compatible Above-IC ), en utilisant, une couche sacrificielle polyimide, 4 um d AlSi comme couche structurelle et du cuivre épais. Pour augmenter la variation de capacité, nous nous sommes concentré sur la variation de surface. Ces solutions évitent l effet pull-in mais la variation de la capacité reste inférieure à 100% et la consommation en puissance est forte. Nous avons alors choisi de développer une autre capacité variable à électrodes fragmentées et par actionnement latéral électrostatique. Des circuits LC ont été réalisés et caractérisés, avec une variation de fréquence de 25% à 2GHz. Les inductances en cuivre ont été fabriquées avec succès et mesurées. Enfin, dans le même procédé, nous avons fabriqué et caractérisé des filtres passes-bandes WLAN et DCS pour un démonstrateur reconfigurable front end . Ces composants ont été fabriqués avec du cuivre épais 10 um.
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