Batterie au plomb
Gel - Théorie des cristaux ; Mécanisme de dissolution-précipitation ; Amélioration du graphène ; Dimensionnement et réduction du graphène ; ...
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Théorie du gel - cristal Mécanisme de dissolution et de précipitationAméliorations des nanofeuilles de graphèneEffet de la taille et de la réduction du graphèneFragmentation du graphène induite par le cisaillement Interconductivité et phénomènes électro-osmotiquesNouvelles stratégies pour l'utilisation et l'amélioration de la capacité des batteries au plomb Les exigences technologiques en matière de véhicules électriques hybrides, de stockage à grande échelle et de centrales électriques portables ont fait progresser les intérêts de la recherche sur les batteries plomb-ac...
Théorie du gel - cristal Mécanisme de dissolution et de précipitationAméliorations des nanofeuilles de graphèneEffet de la taille et de la réduction du graphèneFragmentation du graphène induite par le cisaillement Interconductivité et phénomènes électro-osmotiquesNouvelles stratégies pour l'utilisation et l'amélioration de la capacité des batteries au plomb Les exigences technologiques en matière de véhicules électriques hybrides, de stockage à grande échelle et de centrales électriques portables ont fait progresser les intérêts de la recherche sur les batteries plomb-acide (LAB), en plus de l'avantage de la puissance nominale par coût. Les matériaux actifs positifs (PAM) des LAB, en raison de leur faible utilisation et de leur cycle de vie, limitent sérieusement la compétitivité de la batterie traditionnelle. L'interaction électrochimique des feuilles de graphène qui a modifié la réactivité des cristaux de dioxyde de plomb dans la zone de gel. Un modèle de transfert d'ions a été développé, montrant l'optimisation du transfert d'ions dans la zone de gel induit par l'activité électrochimique des additifs à base de graphène. Les caractéristiques interfaciales mécanistes des améliorations du graphène dans les LAB ont été évaluées plus en détail sur la base de la capacité de la double couche et de la résistance de transfert de charge.
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