Badanie w¿a¿ciwo¿ci optoelektronicznych stopów HfxSi1-xO2
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
29,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
15 °P sammeln!
W niniejszej pracy zbadali¿my stabilno¿¿ dynamiczn¿, w¿äciwo¿ci strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosuj¿c metod¿ liniaryzowanych fal p¿askich o cäkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonäu g¿sto¿ci (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjä wymiany i korelacji by¿ traktowany przy u¿yciu ró¿nych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazäy, ¿e HfSi3O8 ma charakter pó¿przewodnika z bezpo¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ równ¿ 3,909 eV, przy u¿yciu aproksymacji GGA. W przypadku zwi¿zków Hf...
W niniejszej pracy zbadali¿my stabilno¿¿ dynamiczn¿, w¿äciwo¿ci strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosuj¿c metod¿ liniaryzowanych fal p¿askich o cäkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonäu g¿sto¿ci (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjä wymiany i korelacji by¿ traktowany przy u¿yciu ró¿nych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazäy, ¿e HfSi3O8 ma charakter pó¿przewodnika z bezpo¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ równ¿ 3,909 eV, przy u¿yciu aproksymacji GGA. W przypadku zwi¿zków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazuj¿, ¿e oba zwi¿zki s¿ pó¿przewodnikami z po¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ o warto¿ciach prognozowanych wynosz¿cych odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane w¿äciwo¿ci termoelektryczne i stabilno¿¿ dynamiczna wskazuj¿, ¿e zwi¿zki te s¿ bardzo sztywne, nieodksztäcalne i silnie uporz¿dkowane.
Andere Kunden interessierten sich für
