Aufbau und Funktionsweise eines Solar-Akkuladers mit Überladeschutz
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Studienarbeit aus dem Jahr 2007 im Fachbereich Elektrotechnik, Berufsakademie Schleswig-Holstein Kiel, Sprache: Deutsch, Abstract: Ziel der Semesterarbeit ist es, der Studiengruppe den Aufbau und die Funktionsweise eines Solar-Batterieladers näher zu erläutern und an diesem qualitative und quantitative Messungen und deren Deutungen durchzuführen. Halbleiter sind Festkörper, welche aufgrund von beweglichen Ladungsträgern eine mehr oder weniger große Leitfähigkeit haben. Die Leitfähigkeit ist abhängig vom Aufbau, der Gitterstruktur und der Temperatur des Materials. Beispiele für Halble...
Studienarbeit aus dem Jahr 2007 im Fachbereich Elektrotechnik, Berufsakademie Schleswig-Holstein Kiel, Sprache: Deutsch, Abstract: Ziel der Semesterarbeit ist es, der Studiengruppe den Aufbau und die Funktionsweise eines Solar-Batterieladers näher zu erläutern und an diesem qualitative und quantitative Messungen und deren Deutungen durchzuführen. Halbleiter sind Festkörper, welche aufgrund von beweglichen Ladungsträgern eine mehr oder weniger große Leitfähigkeit haben. Die Leitfähigkeit ist abhängig vom Aufbau, der Gitterstruktur und der Temperatur des Materials. Beispiele für Halbleitermaterialen sind Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs).Bei Si und Ge handelt es sich um 4-wertige Atome, welche 4 Valenzlektronen aufweisen (IV. Gruppe). Bei einem idealen Si/Ge Kristall gibt es keine frei beweglichen Ladungsträger, da sämmtliche Valenzelektronen an die Gitteratome gebunden sind. In diesem Zustand kann der Kristall auch als Isolator bezeichnet werden. 1 Da die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern aber mit steigender Temperatur zunimmt, gehören sie zu den Heißleitern. Weiterhin lässt sich die Leitfähigkeit durch gezieltes Einbringen von Fremdatomen (Dotieren) der III. Gruppe (Akzeptoren) oder V. Gruppe (Donatoren) beeinflussen. Der Halbleiter wird also entweder p-leitend oder n-leitend. Die Halbleitereigenschaften sind maßgeblich durch die Sperrschicht an den pn-Übergängen gegeben.
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