Roland Krebs

Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Da auf der Basis von Silizium nur aufwändig konstruierte, teurere hybride Operationsverstärker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfügbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengünstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverstärker realisieren lassen.
Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers konnte sowohl in Simulationen als auch anhand der Charakterisierung der konzipierten Schaltung nach deren Aufbau auf einer Leiterplatte nachgewiesen werden. Die Messergebnisse bestätigten, die durch die Simulationen vorhergesagten Werte für die Verstärkung, während die gemessenen Verstärkungsbandbreiten erwartungsgemäß aufgrund von parasitären Kapazitäten hinter den Werten aus den Simulationen zurückblieben.
Mit dem im Rahmen dieser Studie erstellten Schaltungskonzept wurde eine experimentell verifizierte Grundlage für weitere Arbeiten zum Aufbau eines vollständig Galliumnitrid-basierten Operationsverstärkers geschaffen.

Produktdetails

• Verlag: Diplomica
• Artikelnr. des Verlages: 19985
• 1. Aufl.
• Seitenzahl: 120
• Erscheinungstermin: 23. Juli 2013
• Deutsch
• Abmessung: 270mm x 190mm x 8mm
• Gewicht: 316g
• ISBN-13: 9783842899858
• ISBN-10: 3842899858
• Artikelnr.: 38975971

Autorenporträt

Roland Krebs wurde 1976 in Aschaffenburg geboren. Nach dem Studium und der Promotion in Physik mit dem Schwerpunkt Halbleiterphysik und ¿technologie an der Universität Würzburg, war der Autor in verschiedenen Positionen als Manager für Forschungs- und Technologieprojekte im Bereich der Hochfrequenztechnik tätig. Im Laufe dieser beruflichen Tätigkeit ist ein besonderes Interesse an der Hochfrequenztechnik und insbesondere an der Galliumnitrid-Technologie entstanden, auf der heutzutage viele Halbleiterbauteile der Hochfrequenztechnik basieren. Aufgrund dieses persönlichen Interesses und zur berufsbegleitenden Weiterbildung nahm der Autor ein Studium an der FernUniversität Hagen im Fach Elektrotechnik auf. Im Rahmen dieses Studiums und basierend auf den vorhandenen akademischen und beruflichen Kenntnissen ist die vorliegende Studie entstanden.