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Parmi les semiconducteurs les plus promoteurs pour la fabrication des cellules solaires en couches minces, le disulfure de cuivre et d'indium CuInS2 sous sa structure chalcopyrite. Notre choix pour élaborer des films CuInS2 a été porté sur la technique de la pulvérisation chimique dite Spray Pyrolysis. Ce choix a été dicté par la nécessité de fabriquer des couches minces avec des faibles coûts et avec des propriétés répondants aux critères photovoltaïques. Dans ce travail nous avons élaboré des couches minces de CuInS2 par la technique de pulvérisation atomique dite " Spray pyrolysis " avec l'air sur des substrats en verre préchauffés. L'effet des trois paramètres expérimentaux sur les propriétés des couches a été étudié; à savoir la température de dépôt, le temps de pulvérisation et le rapport des concentrations des éléments constituants la solution à pulvériser Cu/In. Après l'élaboration, les films de CuInS2 ont subi une série de caractérisation structurale, morphologique, optique et électrique respectivement en utilisant, le diffractomètre des rayons X, le microscope électronique à balayage, le microscope à force atomique, la spectroscopie RAMAN,la quatre pointe.