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Hochleitfähige und transparente Schichten haben viele wichtige Anwendungen wie transparente Elektroden für optoelektronische Geräte und transparente Wärmespiegel für die Nutzung der Sonnenenergie. Obwohl Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Dünnschichten im Allgemeinen für praktische Anwendungen verwendet werden, ist ITO ein relativ teures Material, da Indium nicht im Überfluss vorhanden ist. In letzter Zeit haben Al-dotierte ZnO-Dünnschichten als transparentes und leitfähiges Beschichtungsmaterial Interesse geweckt, da die niedrigen Kosten dieses Materials es für groß angelegte Anwendungen attraktiv…mehr

Produktbeschreibung
Hochleitfähige und transparente Schichten haben viele wichtige Anwendungen wie transparente Elektroden für optoelektronische Geräte und transparente Wärmespiegel für die Nutzung der Sonnenenergie. Obwohl Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Dünnschichten im Allgemeinen für praktische Anwendungen verwendet werden, ist ITO ein relativ teures Material, da Indium nicht im Überfluss vorhanden ist. In letzter Zeit haben Al-dotierte ZnO-Dünnschichten als transparentes und leitfähiges Beschichtungsmaterial Interesse geweckt, da die niedrigen Kosten dieses Materials es für groß angelegte Anwendungen attraktiv machen. In diesem Buch werden die optimierten Abscheidungsbedingungen für die Herstellung von Al-dotierten ZnO-Dünnschichten durch reaktive DC-Magnetron-Sputter-Methode diskutiert. Die strukturellen, oberflächenmorphologischen, elektrischen und optischen Eigenschaften von Al-dotierten ZnO-Dünnschichten wurden systematisch beschrieben.
Autorenporträt
Dr. B. Rajesh Kumar, Profesor Asistente, Departamento de Física, GITAM (Deemed to be University), Visakhapatnam, A.P, India Dr. B. Hymavathi, Profesor Asistente, Departamento de Física, ANITS, Visakhapatnam, A.P, India Prof. T. Subba Rao, Facultad UGC-BSR, Departamento de Física, Universidad Sri Krishnadevaraya, Anantapur, A.P, India