Andere Kunden interessierten sich auch für
![Kristally twerdyh rastworow Ge-Si]( "Kristally twerdyh rastworow Ge-Si")
Kristally twerdyh rastworow Ge-Si41,99 €![Materialowedenie Si, Ge i splawa Zn-Al-Cu]( "Materialowedenie Si, Ge i splawa Zn-Al-Cu")
Materialowedenie Si, Ge i splawa Zn-Al-Cu33,99 €![La irradiación de electrones de MeV de las heteroestructuras de Si]( "La irradiación de electrones de MeV de las heteroestructuras de Si")
La irradiación de electrones de MeV de las heteroestructuras de Si32,99 €![Magnitoteplowye swojstwa gadoliniq w oblasti temperatury Küri]( "Magnitoteplowye swojstwa gadoliniq w oblasti temperatury Küri")
Magnitoteplowye swojstwa gadoliniq w oblasti temperatury Küri33,99 €![Opticheskie swojstwa primesnyh ionow w granatowyh plenkah]( "Opticheskie swojstwa primesnyh ionow w granatowyh plenkah")
Opticheskie swojstwa primesnyh ionow w granatowyh plenkah39,99 €![Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow]( "Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow")
Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow39,99 €![Jelektronnye i magnitnye swojstwa hal'kopirita CuFeS2]( "Jelektronnye i magnitnye swojstwa hal'kopirita CuFeS2")
Jelektronnye i magnitnye swojstwa hal'kopirita CuFeS233,99 €
V rabote predstawleny rezul'taty issledowanij po polucheniü slozhnolegirowannyh kristallow Ge-Si, s zadannym sostawom i koncentraciej primesej medi, indiq i sur'my, a takzhe po älektrotransportnym swojstwam i spektru primesnyh sostoqnij w ätih materialah.V priblizhenii polnost'ü razmeshennogo rasplawa, reshena teoreticheskaq zadacha po koncentracionnomu raspredeleniü osnownyh komponentow i primesej w kristallah twördyh rastworow, wyraschennyh iz rasplawa konserwatiwnymi i nekonserwatiwnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniq udowletworitel'no opisywaüt äxperimental'nye dannye po raspredeleniü komponentow i primesej indiq i sur'my w kristallah germanij-kremnij. Razrabotany metodiki wyraschiwaniq i legirowaniq primesqmi In i Sb kristallow Ge-Si (0¿h¿0,30) s zadannoj koncentraciej primesej metodom naprawlennogo koncentracionnogo pereohlazhdeniq i konserwatiwnym metodom Bridzhmena. Ustanowleno, chto koäfficienty segregacii issledowannyh primesej izmenqütsq linejno s sostawom twördyh rastworow germanij-kremnij.