Epitaxie de phosphures à grande échelle
Contribution à l''étude de l''épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés
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La montée en fréquence des composants renforce l'intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est déroulée cette thèse. Plusieurs aspects de l'EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ...
La montée en fréquence des composants renforce l'intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est déroulée cette thèse. Plusieurs aspects de l'EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ont été caractérisées, mettant en évidence le faible effet mémoire du bâti et des interfaces de bonne qualité pour des arrêts de croissance courts voire nuls. Le fort dopage "p" de l'InGaAs a été réalisé au moyen d'une source de CBr4, avec une faible diffusion des dopants et une jonction p-n proche de l'idéalité. Les flux de cellules d'EJM ont été modélisés par la méthode de Monte Carlo, afin d'identifier les paramètres géométriques permettant d'obtenir une bonne uniformité et une stabilité du flux en intensité.
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